・半導体微粒子層の形成と評価およびデバイス応用

ヨシダ トシユキ
吉田 俊幸
准教授
学部等 |
総合理工学部
物理工学科
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researchmap 個人URL |
https://researchmap.jp/read0098480 |
SDGs |
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産業分野
- 製造業 / 電子部品・デバイス・電子回路製造業
- 製造業 / 化学工業
- 製造業 / その他の製造業
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研究分野
- ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器
- ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学
- ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性
研究キーワード
トランジスタ,半導体,微粒子,表面・界面
研究概要
半導体の微粒子層を、いろいろな材料の基板上に作る技術を研究しています。これによって、従来の方法では半導体薄膜を作れない材料や表面形状へも、トランジスタをはじめとする半導体デバイスを作り込むことができるようになり、電子回路の応用分野を大きく広げます。
これまでの半導体薄膜の形成法では、基板と薄膜の材料は特定の組み合わせしか選べないことや、真空環境、特殊なガスや高エネルギーの供給が必要になることなど、自由度が狭いことがネックです。また大面積化への要求に応えることも難しくなってきています。
ここで扱う半導体の微粒子層は、スプレーや沈殿乾燥など極めて簡素な方法で得ることができ、下地基板の影響も小さく、大面積化も容易です。緻密な薄膜と比べると性能が劣ることは避けられませんが、材料選択の幅や大面積化が優先される場面で貢献できます。
当研究室ではこれまで、ガラス基板上の酸化亜鉛(ZnO)微粒子層への、バックゲート型およびトップゲート型トランジスタの試作に成功しました。また特性向上のため、ZnO微粒子へのGaドープも行えるようにしました。
これまでの半導体薄膜の形成法では、基板と薄膜の材料は特定の組み合わせしか選べないことや、真空環境、特殊なガスや高エネルギーの供給が必要になることなど、自由度が狭いことがネックです。また大面積化への要求に応えることも難しくなってきています。
ここで扱う半導体の微粒子層は、スプレーや沈殿乾燥など極めて簡素な方法で得ることができ、下地基板の影響も小さく、大面積化も容易です。緻密な薄膜と比べると性能が劣ることは避けられませんが、材料選択の幅や大面積化が優先される場面で貢献できます。
当研究室ではこれまで、ガラス基板上の酸化亜鉛(ZnO)微粒子層への、バックゲート型およびトップゲート型トランジスタの試作に成功しました。また特性向上のため、ZnO微粒子へのGaドープも行えるようにしました。