| 1. |
「Characteristics and deviation of low-temperature FD-SOI-MOSFETs using a sputtering SiO2 gate insulator」
Wenchang Yeh and Masato Ohya
Japanese Journal of Applied Physics
2023年
1月
|
| 2. |
「Improvement of dielectric and ferroelectric properties by laser sintering of pulsed EPD BaTiO3 films」
Hidetoshi Miyazaki, Yosuke Yamashita, Takeshi Tsuji, Wenchang Yeh, Shinya Tsukada
Ceramics International, 49(2023)12745-12749
2022年
12月
|
| 3. |
「Laser-Induced Crystallization of Copper Oxide Thin Films: A Comparison between Gaussian and Chevron Beam Profiles」
William Bodeau, Kaisei Otoge Kaisei Otoge Graduate School of Natural Science and Technology, Shimane University, Matsue, Shimane 690-8504, Japan More by Kaisei Otoge , Wenchang Yeh*, and Nobuhiko P. Kobayashi*
ACS Appl. Mater. Interfaces 2022, 14, 44, 49919–49927
学術雑誌
2022年
10月
|
| 4. |
「Rapid annealing of Au thin films by micron chevron-shaped laser beam scanning toward growth of single-grain crystal」
Anh Hoang Pham, Naruki Fukunaga, Wenchang Yeh, Shigekazu Morito, Takuya Ohba
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
vol.:60
No.:SB
学術雑誌
2021年
5月
|
| 5. |
「Rapid annealing of Au thin films by micron chevron-shaped laser beam scanning toward growth of single-grain crystal」
A. Pham, N, Fukunaga, Wenchang Yeh, S, Morito and T. Ohba
Jpn. J. Appl. Phys.
vol.:60
SBBK06頁
2021年
1月
|
| 6. |
「Tendency of crystal orientation rotation toward stable {001} during lateral crystal growth of Si thin film sandwiched by SiO2」
Wenchang Yeh, Toshiki Shirakawa, Anh Hoang Pham
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
vol.:60
No.:SB
学術雑誌
2021年
5月
|
| 7. |
「A study of single-crystal Cu2O stripes grown on fused-silica substrates by micro-chevron laser beam crystallization」
Brian Giraldo; Wenchang Yeh; Kaisei Otoge; Nobuhiko P. Kobayashi
Proceedings of SPIE 11465
2020年
8月
|
| 8. |
「Formation of single-crystal Cu2O strips in non-single-crystal CuO thin films by continuous-wave laser diode with micro-chevron laser beam」
Brian Giraldo, Wenchang.Yeh, Nobuhiko. Kobayashi
J. of Materials Science
vol.:29
14105頁
学術雑誌
2020年
7月
|
| 9. |
「Twin formation in micro-chevron laser beam scanning induced one directional crystal growth in Si film on SiO2」
Wenchang Yeh, Toshiki Shirakawa, Anh Hoang Pham and Shigekazu Morito
Japanese Journal of Applied Physics
vol.:59
No.:SG
全:6頁
SGGJ05頁
2020年
2月
|
| 10. |
「Lateral growth of 1.1-mm-long twin free Si stripe as a result of rotation suppression」
W. Yeh, T. Shirakawa A.H. Pham, and S. Morito,
Jpn. J. Appl. Phys.
vol.:58
SBBJ06頁
2019年
1月
|
| 11. |
「Selective growth of single-grain crystal in Al thin film by micron chevron-shaped laser beam scanning 」
Anh H. Pham, W. Yeh, S. Morito, T. Ohba
Thin Solid Films
vol.:672
100頁
2019年
1月
|
| 12. |
「Analysis of defects in low-temperature polycrystalline silicon thin films related to surface-enhanced Raman scattering」
Kuninori Kitahara, Wenchang Yeh and Akito Hara
Japanese Journal of Applied Physics
vol.:57
全:8頁
011401_1-8頁
2017年
12月
|
| 13. |
「Direct Current Sputter Epitaxy of Heavily Doped p+ Layer for Monocrystalline Si Solar Cells」
Wenchang Yeh and Hikaru Moriyama
Journal of Solar Energy
2017年
5月
|
| 14. |
「Low-temperature Cu-induced poly-crystallization of electrodeposited germanium thin film on flexible substrate」
Yasutaka Uchida, Tomoko Funayama, Yoshiaki Kogure, and Wenchang Yeh
Phys. Status Solidi C 13, No. 10–12, 864–867 (2016)
2016年
9月
|
| 15. |
「Metal-induced low-temperature crystallization of electrodeposited Ge thin film 」
Yasutaka Uchida, Tomoko Funayama, Yoshiaki Kogure and Wenchang Yeh
Jpn. J. Appl. Phys.
vol.:55
No.:3
031303頁
2016年
|
| 16. |
「Single-grain growth in Si film by chevron-shaped cw laser beam scanning」
Wenchang Yeh, Satoki Yamazaki, Akihisa Ishimoto and Shigekazu Morito
APEX
vol.:9
全:4頁
025503頁
学術雑誌
2016年
|
| 17. |
「Fast and low-temperature sputtering epitaxy of Si and Ge and its application to optoelectronics」
Wenchang Yeh, Akihiro Matsumoto, and Keisuke Sugihara
proc. 2015 int'l symp. next-generation electronics
1-3頁
2015年
|
| 18. |
「High Performance InGaN PIN Photodetectors Using LED Structure and Surface Texturing」
Yi-Ting Huang, Pinghui S. Yeh, Yen-Hsiang Huang, Yu-Ting Chen, Chih-Wei Huang, Cong Jun Lin, and Wenchang Yeh
IEEE Photonics Technology Letters
vol.:28
No.:6
全:4頁
605-608頁
2015年
|
| 19. |
「Single-crystal Si solar cells with pulsed-DC sputtered SiNx:H anti-reflection film and phosphoric-acid-diffused n+ emitter」
Wenchang Yeh and Wasa Takuya
Jpn. J. Appl. Phys.
vol.:54
全:7頁
08KD05-1頁
学術雑誌
2015年
|
| 20. |
「Single-crystalline p–i–n-Si thin-film solar cells grown on Si substrate by sputter epitaxy」
Wenchang Yeh and Keisuke Tatebe
Jpn. J. Appl. Phys.
vol.:54
全:6頁
08KD07-1頁
2015年
|
| 21. |
「Sputter epitaxy of heavily doped p+/n+ Ge film on Si (100) by cosputtering with Al/Sb for solar cell application」
Wenchang Yeh, Akihiro Matsumoto, and Keisuke Sugihara
Jpn. J. Appl. Phys.
vol.:54
全:5頁
08KD08-1_4頁
2015年
|
| 22. |
「スパッタ堆積法によるSi/Geの低温高速エピタキシャル成長と太陽電池応用」
葉文昌
化学工業
vol.:66
全:6頁
34-39頁
2015年
|
| 23. |
「Characteristics of Si pn junction diode fabricated by sputtering epitaxy」
Wenchang Yeh and Hsiangen Huang
Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), 2014 21st International Workshop on
全:4頁
225-228頁
2014年
|
| 24. |
「Direct-current sputter epitaxy of Si and its application to fabricate n+-emitters for crystalline-Si solar cells 」
Wenchang Yeh, Kyohei Tatebe, Keisuke Sugihara and Hsiangen Huang
Jpn. J. Appl. Phys.
vol.:53
No.:025502-025508
全:6頁
学術雑誌
2014年
|
| 25. |
「Fabrication of poly-Si complementary metal oxide semiconductor inverter by all sputtering deposition process」
Wenchang Yeh and Boting Huang
Journal of the Society for Information Display
vol.:22
No.:7
全:6頁
364-369頁
2014年
|
| 26. |
「Sputter Epitaxial Growth of Flat Germanium Film with Low Threading-Dislocation Density on Silicon (001) 」
Wenchang Yeh, Akihiro Matsumoto, Keisuke Sugihara and Hisataka Hayase
ECS J. Solid State Sci. Technol.
vol.:3
No.:10
全:5頁
195-199頁
2014年
|
| 27. |
「スパッタ堆積法によるSi/Geの低温高速エピタキシャル成長と太陽電池応用」
葉文昌
化学工業
vol.:66
No.:3
全:8頁
34-41頁
2014年
|
| 28. |
「 葉文昌，スパッタ堆積法によるSi/Geの低温高速スパッタエピタキシャル成長と太陽電池応用」
葉文昌
未来材料
vol.:12
No.:12
全:6頁
21-25頁
学術雑誌
2012年
|
| 29. |
「Siスパッタエピタキシーによる単結晶Si太陽電池の作製」
葉 文昌，方 昱斌，黄 祥恩
信学技報
vol.:111
No.:357
全:5頁
31-35頁
学術雑誌
2011年
|
| 30. |
「Pulse-DC Reactive Sputtering Deposition of SiNx:H film and Its Application to Passivation and Anti-reflection Film of Si Solar Cells 」
Wenchang Yeh, Hsinchi Chen, Hsinyi Chiang
Proceedings of 17th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays (AMFPD)
全:4頁
235-238頁
2010年
|
| 1. |
「[15p-B410-10] 低温単結晶Si-TFTの諸特性とばらつきに関する考察」
葉 文昌、大矢 雅人
第70回応用物理学会学術講演会
2023年
|
| 2. |
「Characteristics of FD-SOI-MOSFETs using low-temperature sputtering SiO2 gate insulator with high pressure water annealing」
Wenchang Yeh, Masato Ohya, Yusaku Magari
SSDM
2022年
|
| 3. |
「High performance single crystal Si TFTs fabricated on single crystal Si strip formed by micro-chevron laser beam scanning」
Wenchang Yeh
International conference on display technology (ICDT 2021)
2021年
|
| 4. |
「Micro-chevron laser beam scanning for single grain Si stripe formation and its application to TFTs」
Wenchang Yeh
15th International Thin-Film Transistor Conference,
2021年
|
| 5. |
「Si膜中のレーザー誘起単結晶成長技術 ー {001}<100>結晶方位制御を中心に」
葉 文昌
薄膜材料デバイス研究会
2021年
|
| 6. |
「マイクロシェブロンレーザー走査法による単結晶Si帯の結晶方位制御」
葉 文昌
情報通信学会SDM研究会
2021年
|
| 7. |
「µCLBS 法による石英上 CuO 薄膜内の単結晶 Cu2O 帯成長」
大峠 開星 , 葉 文昌 , 小林 伸彦
応用物理学会秋期学術講演会
2020年
|
| 8. |
「µCLBS法による無ランダム粒界Si帯の実現と薄膜トランジスタ特性」
葉 文昌、平末 充紀、土屋 敏章
応用物理学会春期学術講演会
2020年
|
| 9. |
「Ni窒化物半導体のショットキーバリアダイオード特性評価と窒化時間依存性」
森岡 璃久、市川 和典、赤松 浩、大島 多美子、葉 文昌
応用物理学会春期学術講演会
2020年
|
| 10. |
「[J-5-01] Crystal orientation control of single crystal Si strip formed by micro chevron laser beam scanning method to (100)」
Wenchang Yeh, Toshiki Shirakawa
International conference on solid state devices and materials
2020年
|
| 11. |
「[K-10-05] Rapid annealing of metal thin films by micron chevron-shaped laser beam scanning」
Anh Hoang Pham1,3, Naruki Fukunaga, Wenchang Yeh, Shigekazu Morito, Takuya Ohba
International conference on solid state devices and materials
2020年
|
| 12. |
「µCLBS結晶Si帯への薄膜トランジスタ形成と特性評価」
平末充紀 葉文昌 土屋敏章
薄膜材料デバイス研究会第16回研究集会
2019年
|
| 13. |
「High mobility Si TFTs on crystalline Si stripe formed by micro chevron laser beam scanning 」
Wenchang Yeh, Mitsuki Hirasue and Toshiaki Tsuchiya
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
2019年
|
| 14. |
「Single grain Si stripe on glass substrate formed by µCLBA and its application to single grain TFT」
W. Yeh
International TFT Conference
2019年
|
| 15. |
「Twin Formation in One Dimensionally Grown Single Grain Si Stripe on Glass substrate 」
Wenchang Yeh, Anh Hoang Pham, and Shigekazu Morito
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
2019年
|
| 16. |
「[10a-M114-10] スパッタSi薄膜のµCLBS法による単結晶帯形成」
小柳樹，白川俊樹， 平末充紀， 葉文昌
応用物理学会 春期学術講演会
2019年
|
| 17. |
「[10a-M114-11]µCLBA誘起Siストライプを用いたn型TFTの作製」
平末充紀，葉文昌
応用物理学会 春期学術講演会
2019年
|
| 18. |
「µシェブロン型レーザビーム走査によるSi/Ge膜の単結晶帯形成とその結晶評価」
葉 文昌
シリコン材料・デバイス研究会(SDM研究会)
2018年
|
| 19. |
「Lateral growth of a twin-free Si stripe longer than 1 mm as a result of rotation suppression」
T. Shirakawa and W. Yeh
SSDM2018
2018年
|
| 20. |
「Selective Formation of Single Crystal Si/Ge Stripe on Glass Substrate for TFTs by Novel μ-Chevron Laser Beam Annealing Method」
W. Yeh, S. Moriyama
International Meeting on Information Display, iMiD 2018
2018年
|
| 21. |
「Selective growth of single-grain crystal in Al thin film by micron chevron-shaped laser beam scanning 」
Anh H. Pham, W. Yeh, S. Anh H. Pham, W. Yeh, S. Morito, T. Ohba,, T. Ohba,
SSDM2018
2018年
|
| 22. |
「cwレーザアニール結晶Si薄膜の双晶発生機構に関する考察」
葉文昌
応用物理学会 秋季学術講演会
2018年
|
| 23. |
「Fabrication of single crystalline stripe in Si and Ge film on rolled flexible glass substrate by UV cw micro-chevron laser beam」
Wenchang Yeh
SPIE Optics + Photonics 2017
2017年
|
| 24. |
「Si上スパッタエピGe膜への熱アニールによる貫通転位密度低減」
中村 友洋、 葉 文昌、 佐藤 俊一
2017第64回応用物理学会春期学術講演会
2017年
|
| 25. |
「リン含有スピンオングラスからの熱拡散により作製したn+p接合Geダイオード」
葉文昌、法野真太郎、中村友洋
応用物理学会 秋季学術講演会
2017年
|
| 26. |
「 Growth of Single Crystal Stripe in Si Film on Rolled Flexible Substrate by Micro-ChevronShaped CW Laser Scanning」
W. Yeh, S. Moriyama
AMFPD
2016年
|
| 27. |
「スパッタエピタキシーによる p+エミッタ型Si太陽電池の開発」
森山光、葉文昌
応用物理学会春季学術講演会
2016年
|
| 28. |
「新しいミクロレーザ走査相変換パターニング法による湾曲基板上へのpoly-Si TFT作製」
葉文昌
第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年
|
| 29. |
「Fast and low-temperature sputtering epitaxy of Si and Ge and its application to optoelectronics」
Wenchang Yeh, Akihiro Matsumoto, and Keisuke Sugihara
The 4th International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE 2015)
2015年
|
| 30. |
「空間強度変化レーザスポット走査によるSi膜中の単一結晶粒成長 」
葉 文昌, 山崎仁貴, 石本晃久 島根大学
薄膜材料デバイス研究会第12回研究集会
2015年
|
| 31. |
「Analysis of Temperature Dependence of Electrical Properties of Sputter-Epitaxy Grown Ge on Si 」
早瀬久貴、梶川靖友、葉文昌
薄膜材料デバイス研究会2014
2014年
|
| 32. |
「C-Si Solar Cells Having Sputter SiNX:H as AR Film and Diluted Phosphoric Acid Diffused n+ Emitter」
Wenchang Yeh and Takuya Wasa
WCPEC 2014, 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
2014年
|
| 33. |
「High Growth-Rate Sputter-Epitaxy of Low Thread-Dislocation-Density Ge Film on Si (100) Substrate for Solar-Cell Application 」
Wenchang Yeh, Akihiro Matsumoto and Keisuke Sugihara
WCPEC 2014, 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
2014年
|
| 34. |
「Single-Crystalline pin-Si Thin-Film Solar Cells Grown on Si Substrate by Sputter-Epitaxy」
Wenchang Yeh, Kyohei Tatebe and Keisuke Sugihara
WCPEC 2014, 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
2014年
|
| 35. |
「Si上スパッタエピタキシャルGe膜の欠陥評価」
葉文昌
第75回 応用物理学会秋季学術講演会
2014年
|
| 36. |
「BSF型単結晶Si太陽電池特性のn+エミッタ拡散条件依存性」
和佐拓哉，葉文昌
第60回応用物理学会春季学術講演会
2013年
|
| 37. |
「Oblique lateral grain growth of Si film in CW diode laser annealing」
W.Yeh，Morioka．R
Proceeding of AMFPD 2013
2013年
|
| 38. |
「【招待講演】シリコン系太陽電池 」
葉文昌
第10回薄膜材料デバイス研究会
2013年
|
| 39. |
「【招待講演】紫外レーザダイオードによるSi膜の高速レーザ結晶化と太陽電池応用」
葉文昌
第60回応用物理学会春季学術講演会
2013年
|
| 40. |
「スパッタエピGe 膜の高温アニール改質」
早瀬久貴，葉文昌
60回応用物理学会春季学術講演会
2013年
|
| 41. |
「スパッタエピタキシャル成長法によるpin型Ge太陽電池の開発 」
杉原圭祐、森山光、山崎仁貴、葉文昌
第10回薄膜材料デバイス研究会
2013年
|
| 42. |
「スパッタエピタキシャル成長法によるpin型Si太陽電池のフォーミングガスアニール効果」
建部 恭平, 山崎 仁貴 , 葉 文昌
第10回薄膜材料デバイス研究会
2013年
|
| 43. |
「スパッタエピ成長Siを光吸収層に用いた単結晶Si薄膜太陽電池」
建部恭平，早田恭平，葉文昌
第60回応用物理学会春季学術講演会
2013年
|
| 44. |
「レーザスポット長軸傾斜スキャンによるSiラテラル成長の成長方向制御」
森岡遼太，葉文昌
第60回応用物理学会春季学術講演会
2013年
|
| 45. |
「376 nm紫外ダイオードレーザによるSi膜の溶融再結晶化」
葉 文昌，新石倫大
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会 13.5, 17a-A6-6
2012年
|
| 46. |
「376nm ultra violet laser diode annealing of Si thin films」
Wenchang Yeh and Ryota Morioka
2012 International Conference on Renewable Energy Research and Applications (ICRERA)
2012年
|
| 47. |
「Al/Sb とGe の共スパッタによるp+-Ge/n+-Ge 膜のスパッタエピタキシャル成長」
松本章広，杉原圭祐，早瀬久貴，葉文昌
薄膜材料デバイス研究会
2012年
|
| 48. |
「Ge/Al共スパッタによる1021cm-3台高濃度ドープp+-Ge膜のエピ成長」
杉原圭祐，松本章広，早瀬久貴，葉 文昌
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 16.3 12p-F6-14
2012年
|
| 49. |
「Si基板上にスパッタエピタキシャル成長されたGe層の光吸収特性」
杉原圭祐，松本章広，葉 文昌
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会
2012年
|
| 50. |
「【招待講演】Ge膜のエキシマレーザ誘起スーパーラテラル成長」
葉文昌
信学技報，112巻12号p.55, 2012.
2012年
|
| 51. |
「スパッタエピタキシャル成長n+-Ge膜によるAl/n-Ge接触抵抗の低減」
松本章広，杉原圭祐，早瀬久貴，葉 文昌
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 13.5 11p-F5-11
2012年
|
| 52. |
「スパッタエピ成長Ge膜の伝導率制御」
松本章広，葉 文昌
2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会
2012年
|
| 53. |
「早瀬久貴，松本章広，杉原圭祐，葉 文昌」
Ge/Sb共スパッタによる1020cm-3台高濃度ドープn+-Ge膜のエピ成長
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会 16.3 12p-F6-14
2012年
|
| 54. |
「反応性パルスDC スパッタリング法により堆積したSiNx:H 膜のパッシベーション効果の評価」
和佐拓哉，葉文昌
薄膜材料デバイス研究会
2012年
|
| 55. |
「Si及びGe膜のエキシマレーザ結晶化過程の実時間観測」
葉 文昌
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会24p-BK-2
2011年
|
| 56. |
「低温スパッタ法によるSi(100)基板上へのGe厚膜ヘテロエピ成長」
葉 文昌、黄 祥恩
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会
2011年
|
| 57. |
「エピタキシャルで形成されたn+エミッターを有するSi単結晶太陽電池の特性」
葉 文昌
2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
2010年
|
| 58. |
「反応性パルス直流スパッタ法によるSiNx:H膜の堆積とSi太陽電池のパシベーション反射防止膜への応用」
葉 文昌
2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
2010年
|
学部等／職名