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吉田 俊幸(ヨシダ トシユキ) YOSHIDA Toshiyuki

お問い合わせ

学部等/職名

総合理工学部 物理工学科 講師

学科・講座等

物理・マテリアル工学科 

電話番号

0852-32-6346

専門分野

ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

専門分野キーワード

半導体デバイス、半導体表面・界面

研究テーマ

III-V化合物半導体MOS構造形成プロセスの最適化
Si-LSIを凌ぐ高移動度n-MOSFET実現の為の,III-V化合物半導体表面およびMOS構造の評価と形成プロセスの最適化
研究分野:電子デバイス・電子機器,電子・電気材料工学 (国内共同研究)

酸化物半導体ナノ粒子による塗布型プロセスの開発とトランジスタ応用
酸化物半導体(現段階ではZnO)ナノ粒子分散液を,各種塗布方法により種々の基板上に塗布し,ナノ粒子層を形成し,半導体薄膜としての性能評価と,トランジスタへの応用を検討する。
研究分野:ナノ材料・ナノバイオサイエンス,電子・電気材料工学,電子デバイス・電子機器 (機関内共同研究) 2012年 ~

職歴

講師2019年度~
助手/助教2001年度~2018年度

米子工業高等専門学校 非常勤講師 2016~2017年
北海道工業大学 非常勤講師 1998~1999年
日本学術振興会 特別研究員 2000~2001年

出身学校

北海道大学 大学 (工学部 電気工学科) 1996年 (卒業)

出身大学院

北海道大学 博士 (工学研究科 電子情報工学) 2001年 (修了)

北海道大学 修士 (工学研究科 電子情報工学専攻) 1998年 (修了)

取得学位

博士(工学)  (課程) 北海道大学 薄膜・表面界面物性