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吉田 俊幸(ヨシダ トシユキ) YOSHIDA Toshiyuki

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所属部署

総合理工学部 物理・マテリアル工学科 講師

所属講座

物理・マテリアル工学科 

専門分野

電子デバイス・電子機器

電子・電気材料工学

専門分野キーワード

半導体表面・界面・デバイス特性

研究テーマ

III-V化合物半導体MOS構造形成プロセスの最適化
Si-LSIを凌ぐ高移動度n-MOSFET実現の為の,III-V化合物半導体表面およびMOS構造の評価と形成プロセスの最適化
研究分野:電子デバイス・電子機器,電子・電気材料工学 (国内共同研究)

酸化物半導体ナノ粒子による塗布型プロセスの開発とトランジスタ応用
酸化物半導体(現段階ではZnO)ナノ粒子分散液を,各種塗布方法により種々の基板上に塗布し,ナノ粒子層を形成し,半導体薄膜としての性能評価と,トランジスタへの応用を検討する。
研究分野:ナノ材料・ナノバイオサイエンス,電子・電気材料工学,電子デバイス・電子機器 (機関内共同研究) 2012年 ~

職歴

講師2019年度~
助手/助教2001年度~2018年度

北海道工業大学 非常勤講師
日本学術振興会 特別研究員

出身学校

北海道大学 大学 (工学部 電気工学科) 1996年 (卒業)

出身大学院

北海道大学 博士 (工学研究科 電子情報工学) 2001年 (修了)

北海道大学 修士 (工学研究科 電子情報工学専攻) 1998年 (修了)

取得学位

博士(工学)  北海道大学