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影島　博之（カゲシマ　ヒロユキ）　KAGESHIMA Hiroyuki

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学部等／職名

総合理工学部　物理工学科　教授
Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering Department of Applied Physics

書籍等出版物（著書）

1. Epitaxial Graphene on Silicon Carbide: Modelling, Characterization, and Applications (Pan Stanford (Singapore) 2018年 4月) ISBN:9789814774208 キーワード:Graphene on SiC

論文（論文等）

1. 「Low-energy electron microscopy investigation of germanene segregation on Ag(111) thin films」 Hiroki HIBINO, Akio OHTA, Hiroyuki KAGESHIMA, Junji Yuhara 学術雑誌 2025年 5月
2. 「First-principles Study of Intrinsic hBN Island Nucleated During CVD Initial Growth on Cu(111)」 Ryo Imamura, Insung Seo, Hiroyuki Kageshima 学術雑誌 2025年 4月
3. 「First‐Principles Investigation of the Valley Splitting of Si Quantum Slabs」 Toshiaki Hayashi, Hiroyuki Kageshima, Yasuhiro Tokura, Jin‐Ichiro Noborisaka, Katsuhiko Nishiguchi Physical Status Solidi b vol.:2024 全:5頁 2400531頁 学術雑誌 2024年 12月 ISSN:03701972
4. 「Epitaxial Intercalation Growth of hBN/Graphene Bilayer Heterostructure on Commercial Copper Foil」 Shengnan Wang, Jack Crowther, Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Yoshitaka Taniyasu Chemistry of Materials vol.:36 No.:10 5142-5148頁 学術雑誌 2024年 5月 ISSN:08974756
5. 「First-principles study on shape of intrinsic hBN island nucleated during CVD initial growth on Cu(111)」 Ryo Imamura, Hiroyuki Kageshima Japanese Journal of Applied Physics vol.:63 全:11頁 04SP39頁 学術雑誌 2024年 4月
6. 「Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics」 Hayate Murakami, Fumiya Fukunaga, Motoki Ohi, Kosuke Kubo, Takeru Nakagawa, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase Japanese Journal of Applied Physics vol.:63 全:6頁 04SP56頁 学術雑誌 2024年 4月
7. 「First-principles study on barrier height of silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation」 Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi Japanese Journal of Applied Physics vol.:63 No.:4 全:5頁 04SP08頁 学術雑誌 2024年 3月
8. 「Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO_2_ interface and its orientation dependence: a first-principles study」 Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi Japanese Journal of Applied Physics vol.:63 No.:3 全:5頁 03SP80頁 学術雑誌 2024年 3月
9. 「Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces」 Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono Communications Physics vol.:6 No.:1 全:11頁 316頁 学術雑誌 2023年 10月
10. 「Polarized Raman scattering spectroscopy of array of embedded graphene ribbons grown on 4H-SiC(0001)」 Yoshiaki Sekine, Katsuya Oguri, Hiroki HIBINO, Hiroyuki KAGESHIMA, Yoshitaka Taniyasu Appl. Phys. Express vol.:16 全:4頁 065001頁 学術雑誌 2023年 6月
11. 「Carbonization-driven motion of Si islands on epitaxial graphene」 Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima Phys. Rev. Mater. vol.:7 No.:5 全:6頁 054003頁 学術雑誌 2023年 5月
12. 「First-principles Study on Silicon Emission from Interface into Oxide during Silicon Thermal Oxidation」 H. Kageshima, T. Akiyama, and K. Shiraishi Mater. Sci. Semicond. Proc. vol.:162 全:7頁 107527頁 学術雑誌 2023年 4月
13. 「Theoretical study on origin of CVD growth direction difference in graphene/hBN heterostructures」 H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. vol.:21 全:6頁 251-256頁 学術雑誌 2023年 4月
14. 「Resistive-switching behavior in stacked graphene diode」 Motoki Ohi, Fumiya Fukunaga, Hayate Murakami, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase Japanese Journal of Applied Physics vol.:62 No.:SG 全:5頁 SG1031頁 学術雑誌 2023年 3月
15. 「Appearance of Ferromagnetism in Pt(100) Ultrathin Films Originated from Quantum-well States」 Tatsuru Yamada, Keisuke Ochiai, Hirofumi Kinoshita, Shunsuke Sakuragi, Motohiro Suzuki, Hitoshi Osawa, Hiroyuki Kageshima, Tetsuya Sato Journal of the Physical Society of Japan vol.:91 No.:12 全:6頁 124708頁 学術雑誌 2022年 12月
16. 「Reaction of nitrous oxide and ammonia molecules at 4H-SiC/SiO2 interface: An ab initio study」 T. Akiyama, T. Shimizu, T. Ito, H. Kageshima, K. Shiraishi Surface Science vol.:723 122102頁 学術雑誌 2022年 4月
17. 「Ab initio study for orientation dependence of nitrogen incorporation at 4H-SiC/SiO2」 T. Akiyama, T. Shimizu, T. Ito, H. Kageshima, K. Chokawa, and K. Shiraishi Japanese Journal of Applied Physics vol.:61 全:5頁 SH1002頁 学術雑誌 2022年 3月
18. 「Ab initio-based approach for the oxidation mechanisms at 4H-SiC/SiO2 interface: Interplay of dry and wet oxidants during interfacial reaction」 T. Shimizu, T. Akiyama, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi Physical Review Material vol.:5 全:12頁 114601頁 学術雑誌 2021年 11月
19. 「Correlation between structures and vibration properties of germanene grown by Ge segregation」 S. Mizuno, A. Ohta, T. Suzuki, H. Kageshima, J. Yuhara, and H. Hibino Applied Physics Express vol.:14 全:4頁 125501頁 学術雑誌 2021年 11月
20. 「Growth of hBN/graphene bilayer with high-purity moiré phase via epitaxial intercalation」 S. Wang, J. Crowther, H. Kageshima, H. Hibino, and Y. Taniyasu ACS Nano vol.:15 全:10頁 14384-14393頁 学術雑誌 2021年 9月
21. 「Theoretical study on role of edge termination for growth direction selectivity in chemical vapor deposition of hBN/graphene heterostructure on Cu surface」 H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino Applied Physics Express vol.:14 全:5頁 085502頁 学術雑誌 2021年 7月
22. 「First-principles study of strain effect on oxygen vacancy in silicon oxide」 K. Yata and H. Kageshima Jpn. J. Appl. Phys. vol.:60 全:6頁 035504頁 学術雑誌 2021年 2月
23. 「Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface: an ab initio study for the effect of NO annealing after dry oxidation」 T. Shimizu, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi Jpn. J. Appl. Phys. vol.:60 全:10頁 SBBD10頁 学術雑誌 2021年 2月
24. 「Controlled CVD growth of lateral and vertical graphene/h-BN heterostructures」 R. Makino, S. Mizuno, H. Kageshima, and H. Hibino Appl. Phys. Express vol.:13 全:5頁 065007頁 学術雑誌 2020年 5月
25. 「Ab Initio calculations for the effect of wet oxidation condition on the reaction mechanism at 4H-SiC/SiO2 interface」 T. Shimizu, T. Akiyama, A, Pradipto, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi Jpn. J. Appl. Phys. vol.:59 全:5頁 SMMD01頁 学術雑誌 2020年 4月
26. 「Surface-enhanced Raman scattering from buffer layer under graphene on SiC in a wide energy range from visible to near-infrared」 Y. Sekine, H. Hibino, K. Oguri, A. Iwamoto, M. Nagase, H. Kageshima, and T. Akazaki Jpn. J. Appl. Phys. vol.:59 全:4頁 040902頁 学術雑誌 2020年 3月
27. 「Theoretical study on C adsorbate at graphene/Cu(111) or h-BN/Cu(111) interfaces」 H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. vol.:18 全:6頁 70-75頁 学術雑誌 2020年 3月 キーワード:グラフェン、CVD成長過程、第一原理計算
28. 「Switching of magnetism via modifying phase shift of quantum-well states by tailoring the interface electronic structure」 S. Sakuragi, H. Kageshima, and T. Sato Phys. Rev. B vol.:101 全:9頁 014410頁 学術雑誌 2020年 1月 キーワード:ナノシート磁性、理論
29. 「First-principles Study of pressure and SiO-incorporation effect on dynamical properties of silicon oxide」 H. Kageshima, Y. Yajima, K. Shiraishi, and T. Endoh Jpn. J. Appl. Phys. vol.:58 全:11頁 111004頁 学術雑誌 2019年 10月 キーワード:シリコン酸化膜、理論
30. 「First-principles Study on Charged Vacancies in MoS2」 S. Urasaki and H. Kageshima Jpn. J. Appl. Phys. vol.:57 全:7頁 125202頁 学術雑誌 2018年 10月 キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、欠陥、第一原理計算
31. 「Spontaneous Distortion via Appearance of Ferromagnetism in Pd Ultrathin Films: Observation of Inverse Mechanism for Stoner Criterion」 S. Sakuragi, H. Tajiri, H. Kaegshima, and T. Sato Phys. Rev. B vol.:97 全:5頁 214421頁 学術雑誌 2018年 6月 キーワード:パラジウムナノシート、磁性
32. 「Charge in magnetization of ferromagnetic Pd(001) ultrathin films induced by strain of BaTiO3」 Y. Ban, K. Komatsu, S. Sakuragi, T. Taniyama, H. Kageshima, and T. Sato Appl. Phys. Lett. vol.:112 全:4頁 142409頁 学術雑誌 2018年 4月 キーワード:パラジウムナノシート、磁性
33. 「Oxygen Concentration Dependence of Silicon Oxide Dynamical Properties」 Y. Yajima, K. Shiraishi, T. Endoh, and H. Kageshima Jpn. J. Appl. Phys. vol.:57 全:7頁 06KD01頁 学術雑誌 2018年 4月 キーワード:シリコン酸化物、第一原理分子動力学法
34. 「Reconsideration of Si Pillar Thermal Oxidation Mechanism」 H. Kageshima, K. Shiraishi, and T. Endoh Jpn. J. Appl. Phys. vol.:57 全:7頁 06KD02頁 学術雑誌 2018年 4月 キーワード:シリコン酸化、理論
35. 「First-principles calculations of orientation dependence of Si thermal oxidation based on Si emission model」 T. Nagura, S. Kawachi, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, and K. Shiraishi Jpn. J. Appl. Phys. vol.:57 04FB06頁 学術雑誌 2018年 3月
36. 「Reaction mechanisms at 4H-SiC/SiO2 interface during wet SiC oxidation」 T. Akiyama, S. Hori, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi Jpn. J. Appl. Phys. vol.:57 04FR08頁 学術雑誌 2018年 2月
37. 「Influence of oxygen concentration of Si wafer surface for Si emission on Nano ordered three-dimensional structure devices」 E. Fukuda, T. Endoh, T. Ishikawa, K. Izunome, K. Kamijo, and H. Kageshima e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. vol.:15 127-134頁 学術雑誌 2017年 12月
38. 「Theoretical study of multiatomic vacancies in single-layer hexagonal boron nitride」 S. Urasaki, and H. Kageshima Jpn. J. Appl. Phys. vol.:56 全:6頁 025201頁 学術雑誌 2017年 1月
39. 「Face orientation dependency on thermal oxidation and hydrogen annealing at the Si/SiO2 interface for the three-dimensional devices」 Shingo Kawachi, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai, Hiroyuki Kageshima, Tetsuo Endoh, and Kenji Shiraishi Proceedings of the 7th international symposium on advanced science and technology of silicon materials 259-262頁 2016年 11月
40. 「First principles study on the strain dependence of thermal oxidation and hydrogen annealing effect at Si/SiO2 interface in V-MOSFET」 Shingo Kawachi, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai, Hiroyuki Kageshima, Tetsuo Endoh, and Kenji Shiraishi ECS Transactions vol.:75 No.:5 全:7頁 293-299頁 2016年 10月
41. 「Silicon emission mechanism for oxidation process of non-planar silicon」 H. Kageshima, K. Shiraishi, and T. Endoh ECS Transactions vol.:75 No.:5 全:12頁 215-226頁 学術雑誌 2016年 10月
42. 「Growth and low-energy electron microscopy characterizations of graphene and hexagonal boron nitride」 H. Hibino, S. Wang, C. M. Orofeo, and H. Kageshima Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials vol.:62 No.:2 全:22頁 155-176頁 学術雑誌 2016年 6月
43. 「Extension of Silicon Emission Model for Silicon Pillar Oxidation」 Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi, and Tetsuo Endoh Jpn. J. Appl. Phys. vol.:55 全:5頁 08PE02頁 学術雑誌 2016年 キーワード:シリコン、酸化
44. 「Theoretical Study of Graphene on SiC(11-20) a face」 Hiroyuki Kageshima, and Hiroki Hibino e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. vol.:14 113-120頁 学術雑誌 2016年 ISSN:13480391
45. 「First-principles investigations for oxidation reaction processes at 4H-SiC/SiO2 interface and its orientation dependence」 Toru Akiyama, Ayako Ito, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, and Kenji Shiraishi Surf. Sci. vol.:641 174-179頁 学術雑誌 2015年 キーワード:SiC、酸化、第一原理計算
46. 「Effects of hydrogen intercalation on transport properties of quasi-free-standing monolayer graphene」 Shinichi Tanabe, Makoto Takamura, Yuichi Harada, Hiroyuki Kageshima, and Hiroki Hibino Jpn. J. Appl. Phys. vol.:53 No.:4 全:4頁 04EN01頁 2014年
47. 「Stability and Reactivity of [11-20] Step in Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001)」 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi, and Masao Nagase Mater. Sci. Forum vol.:778-780 全:4頁 1150-1153頁 学術雑誌 2014年 ISSN:16629752 キーワード:グラフェン
48. 「Stability and Reactivity of [11-20] Step in Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001)」 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi, and Masao Nagase Mater. Sci. Forum vol.:778-780 1150-1153頁 2014年
49. 「Thickness-dependent appearance of ferromagnetism in Pd(100) ultrathin films」 S. Sakuragi, T. Sakai, S. Urata, S. Aihara, A. Shinto, H. Kageshima, M. Sawada, H. Namatame, M. Taniguchi, and T. Sato Phys. Rev. B vol.:90 No.:5 全:5頁 054411頁 学術雑誌 2014年 ISSN:10980121
50. 「金微粒子による SiC 上グラフェンの表面増強ラマン散乱」 関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 岩本篤, 永瀬雅夫, 影島博之, 佐々木健一, 赤崎 達志 レーザー研究 vol.:42 No.:8 全:6頁 652-657頁 学術雑誌 2014年 ISSN:03870200 キーワード:グラフェン
51. 「Diffusion of carbon oxides in SiO2 during SiC oxidation: a first-principles study」 Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, and Masashi Uematsu J. Appl. Phys. vol.:113 No.:18 全:5頁 184312頁 2013年
52. 「Graphene-based nanoelectromechanical switch with high on/off ratio」 Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi Appl. Phys. Express vol.:6 No.:5 全:3頁 055101頁 2013年
53. 「Growth and Low-Energy Electron Microscopy Characterization of Monolayer Hexagonal Boron Nitride on Epitaxial Cobalt」 Carlo Orofeo, Satoru Suzuki, Hiroyuki Kageshima, and Hiroki Hibino Nano Research vol.:6 No.:5 335-347頁 2013年
54. 「Self organization of a hexagonal network of quasi-free-standing monolayer graphene nanoribbons」 Yuya Murata, Makoto Takamura, Hiroyuki Kageshima, and Hiroki Hibino Phys. Rev. B vol.:87 No.:16 全:4頁 165408頁 2013年
55. 「Stability and reactivity of steps in initial stage of graphene growth on the SiC(0001) surface」 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi, and Masao Nagase Phys. Rev. B vol.:88 No.:23 全:7頁 235405頁 2013年

MISC（報告書等）

1. 応用物理、研究紹介「シリコン原子はどこへ行く？まだまだ不思議な熱酸化」 影島博之、秋山亨、白石賢二、植松真司 vol.:91 No.:3 155-159頁 応用物理学会 2022年 3月
2. First principles approach to C aggregation process during 0th graphene growth on SiC(0001) (30) Masato Inoue, Hiroyuki Kageshima, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto vol.:1566 129-130頁 AIP Conference Proceedings 2013年
3. Role of Step in Initial Stage of Graphene Growth on SiC(0001) Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi, and Masao Nagase vol.:1566 173-174頁 AIP Conference Proceedings 2013年
4. SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱 関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克也, 赤崎達志, 影島博之, 永瀬雅夫, 佐々木健一, 山口浩司 NTT技術ジャーナル 2013年
5. Surface-enhanced Raman Scattering of Graphene on SiC Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Katsuya Oguri, Tatsushi Akasaki, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase, Kenichi Sasaki, and Hiroshi Yamaguchi NTT Technical Review 2013年

講演・口頭発表等（学会発表）

1. 「Cu(111) 上のCVD初期成長中に核形成された内因性hBN島の理論研究」 今村僚、Seo Insung、影島博之 第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年 3月
2. 「ESM法を用いたSiC(0001)面上多層グラフェンの仕事関数の計算」 久保麿大、Seo Insung、影島博之 第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年 3月
3. 「SiC上エピタキシャルグラフェン初期成長におけるシングルステップの効果の理論検討」 福田慎哉、影島博之 日本物理学会2025年春季大会 2025年 3月
4. 「媒質効果の理論検討に基づくSi酸化膜中のSi輸送経路に関する考察」 影島博之、秋山亨、白石賢二 第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年 3月
5. 「第一原理計算に基づく材料形成・加工技術の検討」 影島博之 企業研究会CAMMフォーラム 2025年 2月
6. 「Si 酸化膜中 Si 輸送に関する原子レベルの考察」 影島博之, 秋山亨, 白石賢二 NIMSナノシミュレーションワークショップ2023 2024年 12月
7. 「Computational approach for reaction process at 4H-SiC/SiO2 interface 」 T. Akiyama, H. Kageshima, and K. Shiraishi 15th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '24 2024年 11月
8. 「Theoretical Study on Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC Si-face」 S. Fukuda and H. Kageshima 15th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '24 2024年 11月
9. 「グラフェン積層接合トランジスタの負性微分抵抗に伴う電流分岐」 村上隼瑛、久保倖介、中川剛瑠、大野恭秀、永瀬雅夫、影島博之 第16回集積化MEMSシンポジウム 2024年 11月
10. 「Atomic Scale Insights into SiO Transport Pathway in Si-Oxide Film Based on Theoretical Investigation of Medium Density Effects」 H. Kageshima, T. Akiyama, and K. Shiraishi The 10th International Symposium on Surface Science 2024年 10月
11. 「First-Principles Analysis of Critical Size and Island Shape in hBN CVD Crystal Growth」 R. Imamura and H. Kageshima The 10th International Symposium on Surface Science 2024年 10月
12. 「Structures and Electronic States of Nitrogen Incorporated 4H-SiC/SiO2 Interfaces: a First-Principles Study」 T. Akiyama, H. Kageshima, and K. Shiraishi The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2024年 10月
13. 「Theoretical Study on Growth Mechanism of Epitaxial Graphene on SiC Si-face」 H. Kageshima International Workshop on Epitaxial 2D Materials 2024 2024年 10月
14. 「CVD成長におけるCu(111)上のhBN島の臨界サイズと形状の理論研究」 今村僚、影島博之 第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年 9月
15. 「Si 酸化における界面から酸化膜への Si 放出と欠陥準位」 影島博之、秋山亨、白石賢二 第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年 9月
16. 「[110]方向に応力がかかったSi量子井戸における谷分離の第一原理計算」 林稔晶、影島博之、登坂仁一郎、西口克彦 第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年 9月
17. 「First-principles Calculations for Giant Valley Splitting in Stressed Silicon Thin Films」 T. Hayashi, H. Kageshima, J. Noborisaka, and K. Nishiguchi International Conference on Physics of Semiconductors 2024 2024年 7月
18. 「First-principles Study of Si Transport from Si-oxide/Si Interface into Oxide」 H. Kageshima, T. Akiyama, and K. Shiraishi International Conference on Physics of Semiconductors 2024 2024年 7月
19. 「4H-SiC/SiO2界面におけるNO分子の界面反応過程の理論解析」 秋山亨、影島博之、白石賢二 応用物理学会春季学術講演会 2024年 3月
20. 「CVD 初期成長における hBN 島のエッジに関する理論研究」 今村僚、影島博之 応用物理学会春季学術講演会 2024年 3月
21. 「Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出障壁高さの理論検討」 影島博之、秋山亨、白石賢二 応用物理学会春季学術講演会 2024年 3月
22. 「Cu 基板上 hBN の CVD 成長の理論研究」 今村僚, 影島博之 NIMSナノシミュレーションワークショップ 2023年 12月
23. 「First Principles Studies on Thermal Oxidation and Effects of Hydrogen Annealing at the Si/SiO2 (110) Interface toward less than 2nm Node CFET」 K. Shiraishi, H. Kageshima, and A. Oshiyama IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2023年 12月
24. 「Si量子井戸における谷分離の研究に対する第一原理計算の有用性について」 林稔晶, 影島博之, 登坂仁一郎, 西口克彦 NIMSナノシミュレーションワークショップ 2023年 12月
25. 「Growth mechanism and vibrational properties of germanene fabricated through Ge segregation」 Hiroki Hibino, Akio Ohta, Hiroyuki Kageshima, and Junji Yuhara 表面真空学会学術講演会 2023年 11月
26. 「Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics"」 H. Murakami, F. Fukunaga, M. Ohi, K. Kubo, T. Nakagawa, H. Kageshima, Y. Ohno, and M. Nagase International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2023年 11月
27. 「グラフェン積層接合への高電界印加による抵抗状態遷移」 大井基暉、村上隼瑛、久保倖介、中川剛瑠、影島博之、大野恭秀、永瀬雅夫 集積化MEMSシンポジウム 2023年 11月
28. 「First-principles study on barrier height of silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation」 H. Kageshima, T. Akiyama, and K. Shiraishi, International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices -- Science and Technology -- 2023年 10月
29. 「Theoretical study on island edges in CVD growth of hBN」 R. Imamura and H. Kageshima International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices -- Science and Technology -- 2023年 10月
30. 「SiC上エピタキシャルグラフェン成長機構の第一原理計算による研究―ステップとC原子吸着の関係―」 福田槙哉、影島博之 応用物理学会秋季学術講演会 2023年 9月
31. 「第一原理計算を用いたSi量子井戸における谷分離の研究」 林稔晶、影島博之、登坂仁一郎、藤原聡、西口克彦 応用物理学会秋季学術講演会 2023年 9月
32. 「第一原理計算を用いたhBNのCVD成長初期解析とvdW補正による結果の差異」 今村僚、影島博之 応用物理学会秋季学術講演会 2023年 9月
33. 「Ag(111)薄膜上でのゲルマネン偏析のその場LEEM観察」 日比野浩樹、太田晃生、影島博之、柚原淳司 第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年 3月
34. 「Cu表面上グラフェン・hBNヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端起源の理論探求」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 日本物理学会2023年春季大会 2023年 3月
35. 「SiC上エピタキシャルグラフェン成長機構の第一原理計算による研究―ステップとC原子吸着の関係―」 福田槙哉、影島博之 第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年 3月
36. 「Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出過程の理論検討」 影島博之、秋山亨、白石賢二 第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年 3月
37. 「hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端機構」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年 3月
38. 「グラフェン/hBNヘテロ構造CVD成長における前駆体の理論検討」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 日本物理学会春季大会 2023年 3月
39. 「CVD法におけるhBN/グラフェンヘテロ構造の成長方向選択性の起源の探究」 影島博之 NIMSナノシミュレーションワークショップ2022 2022年 12月
40. 「Resistive switching behavior in graphene-stacked junction」 M. Ohi, F. Fukunaga, H. Murakami, H. Kageshima, Y. Ohno, and M. Nagase 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022) 2022年 11月
41. 「Theoretical study on origin of CVD growth direction difference in graphene/hBN heterostructure」 H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino 14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '22 (ALC'22) 2022年 10月
42. 「Cu表面上グラフェンリボン・hBNリボンのエッジH終端とファンデルワールス力補正効果」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 日本物理学会2022年秋季大会 2022年 9月
43. 「First-principles Study on Interfacial Silicon Emission during Silicon Thermal Oxidation」 H. Kageshima, T. Akiyama, and K. Shiraishi 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) 2022年 9月
44. 「hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端の起源」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年 9月
45. 「二次元層状物質とヘテロ構造の結晶成長」 日比野浩樹、Shengnan Wang、影島博之 第260回研究会 2022年 7月
46. 「4H-SiC/SiO2界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討」 秋山亨、清水紀志、伊藤智徳、影島博之、白石賢二 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年 3月
47. 「Chemical vapor deposition growth of hexagonal boron nitride/graphene vertical heterostructure」 Shengnan Wang、Jack Crother、影島博之、日比野浩樹、谷保芳孝 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年 3月
48. 「hBN/グラフェンヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端の役割」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年 3月
49. 「4H-SiC/SiO2界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討」 秋山亨、清水紀志、伊藤智徳、影島博之、白石賢二 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年 1月
50. 「第一原理計算による歪んだSiO2中の欠陥の帯電効果の研究」 西村豪広、影島博之 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年 1月
51. 「Theoretical study on hBN/graphene heterostructure CVD growth」 H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino The International Symposium on Novel maTerials and quantum Technology (ISNTT2021) 2021年 12月
52. 「Towards scalable growth of hexagonal boron-nitride/graphene vertical heterostructure」 S. Wang, J. Crowther, H. Kageshima, H. Hibino, and Y. Taniyasu The International Symposium on Novel maTerials and quantum Technology (ISNTT2021) 2021年 12月
53. 「First-principles studies on the effects of O atoms in the substrate on the oxidation of a vertical Si nanopillar」 F. Nanataki, M. Araidai, H. Kageshima, and K. Shiraishi International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021年 11月
54. 「Theoretical Study on Role of Edge Termination in CVD Growth of hBN/Graphene Heterostructure on Cu Surface」 H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino The 9th International Symposium on Surface Science ~Toward Sustainable Development~ (ISSS-9) 2021年 11月
55. 「4H-SiC/SiO2界面での窒素取り込みの面方位依存性に関する理論検討」 秋山亨、清水紀志、伊藤智徳、影島博之、白石賢二 第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年 9月
56. 「CVDにおけるhBN/グラフェン積層ヘテロ構造成長の起源」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年 9月
57. 「Controlled Growth of Hexagonal Boron Nitride and Heterostructures with Graphene」 H. Hibino, S. Wang, and H. Kageshima 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 2021年 9月
58. 「Large scale growth of hexagonal boron nitride/graphene bilayer heterostructure via epitaxial intercalation」 S. Wang, J. Crowther, H. Kageshima, H. Hibino, and Y. Taniyasu Graphene Week 2021 2021年 9月
59. 「グラフェン/CuおよびhBN/Cu表面C吸着におけるファンデルワールス力補正効果」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 日本物理学会2021年秋季大会 2021年 9月
60. 「単原子層物質の成長機構と構造制御」 日比野浩樹, Shengnan Wang, 影島博之 第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年 9月
61. 「Growth mechanism and structural control of hexagonal boron nitride and its heterostructures with graphene」 H. Hibino, S. Wang, and H. Kageshima Global Summit and Expo on Graphene and 2D Materials (2DMAT2021) 2021年 8月
62. 「Growth of hexagonal boron nitride/graphene bilayer heterostructure via epitaxial intercalation」 Shengnan Wang、Jack Crowther、影島博之、日比野浩樹、谷保芳孝 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年 3月
63. 「SiO2膜中欠陥への歪みの影響の理論検討」 西村豪広、影島博之 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年 3月
64. 「hBN/グラフェンヘテロ構造のCVDにおける成長方向選択性の起源」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年 3月
65. 「ドライおよびウェット酸化種が共存する4H-SiC/SiO2界面での反応機構の理論検討」 清水紀志、秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司、白石賢二 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年 3月
66. 「グラフェン/hBN ヘテロ構造の成長方向選択性の起源」 影島博之 第13回九大 2D 物質研究会 2021年 2月
67. 「4H-SiC/SiO2界面構造に対する窒素アニーリングの影響に関する理論的検討」 清水紀志、秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司、白石賢二 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第26回） 2021年 1月
68. 「A systematic approach for the interfacial reaction of O2 molecule under wet oxidation condition at 4H-SiC/SiO2 interface」 T. Shimizu, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021) 2021年 1月
69. 「Effects of wet ambient on dry oxidation processes at 4H-SiC/SiO2 interface: an ab initio study」 T. Shimizu, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020) 2020年 10月
70. 「Origin of Growth Direction Selectivity in CVD of h-BN/Graphene Heterostructure」 H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 2020年 9月
71. 「Reactions of NO molecule with carbon-related defects at 4H-SiC/SiO2 interface under dry oxidation condition」 T. Shimizu, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 2020年 9月
72. 「歪み酸化膜中のO欠陥拡散の理論検討」 矢田航平、影島博之 第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年 9月
73. 「歪み酸化膜中のO欠陥拡散の理論検討」 清水紀志、秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司、白石賢二 第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年 9月
74. 「Si酸化膜中放出Siの理論検討」 影島博之、白石賢二、遠藤哲郎 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年 3月 キーワード:シリコン酸化膜、理論
75. 「h-BNで部分的に覆われたCu上のグラフェン成長初期過程の理論」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年 3月 キーワード:グラフェン、CVD成長、理論
76. 「部分的に層状物質で覆われた Cu 表面でのグラフェン成長初期過程の理論検討」 影島博之 第12回九州大学２D物質研究会 2020年 1月 キーワード:グラフェン、CVD成長、理論
77. 「hBNで表面を覆われたCu(111)面でのグラフェン成長初期過程の理論検討」 影島博之 NIMSナノシミュレーションワークショップ2019 2019年 12月 キーワード:グラフェン、CVD成長、理論
78. 「Ab Initio Calculations for the Effect of Wet Oxidation Condition on the Reaction Processes at 4H-SiC/SiO2 Interface」 T. Shimizu, T. Akiyama, A.-M. Pradipto, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, M. Uematsu, and K. Shiraishi 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices -- Science and Technology -- (2019 IWDTF) 2019年 11月 キーワード:SiC、酸化膜、理論
79. 「Pressure and SiO cooperative effect on diffusivity in Si oxide」 Nov. 18, 2019, , Tokyo, Japan: p-7, Y. Yajima, H. Kageshima, K. Shiraishi, and T. Endoh, “”. 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices -- Science and Technology -- (2019 IWDTF) 2019年 11月 キーワード:シリコン酸化膜、理論
80. 「Theoretical Study on C Adsorbate at Graphene/Cu(111) or h-BN/Cu(111) Interfaces」 H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino 12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '19 2019年 10月 キーワード:グラフェン、CVD成長、理論
81. 「h-BN/Cu(111)上のグラフェン成長初期過程の理論検討」 影島博之、Shengnan Wang、日比野浩樹 第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年 9月 キーワード:グラフェン、CVD成長、理論
82. 「MoSe2中の空孔の安定性に対する帯電効果」 森山聖矢、影島博之 第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年 3月 キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、欠陥、第一原理計算
83. 「Siピラー酸化におけるSiミッシングに関する理論検討II」 影島博之、白石賢二、遠藤哲郎 第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年 3月 キーワード:シリコン、ナノ構造、酸化
84. 「格子定数の変調によるSiO2中のVO拡散障壁の変化の研究」 矢田航平、影島博之 第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年 3月 キーワード:シリコン酸化物、欠陥、拡散、第一原理計算
85. 「三次元MOSFETを支える界面原子制御① 計算科学からのアプローチ」 白石賢二、影島博之 5th CIES Technology Forum JST-ACCEL シンポジウム 2019年 3月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理計算
86. 「酸素欠損のあるSiO2の動特性に関する圧力効果と温度効果の検討」 矢島雄司、白石賢二、遠藤哲郎、影島博之 第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年 3月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理分子動力学法
87. 「層状物質で覆われたCu表面でのグラフェン成長素過程の理論検討」 影島博之 第１１回九州大学２D物質研究会 2019年 2月 キーワード:グラフェン、銅、表面、第一原理計算
88. 「InGaN混晶量子井戸のⅢ族原子配列のランダム性に伴う電子状態変化の理論的研究」 矢部勇多、山口敦史、影島博之 平成30年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2018年 12月 キーワード:窒化物半導体、電子状態
89. 「SiC 表面および SiC/SiO2 界面での酸化機構の理解」 秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司、白石賢二 応用物理学会先進パワー半導体分科会第12回研究会 2018年 12月 キーワード:SiC、酸化、第一原理計算
90. 「First-principles Study of Carbon Adsorption on Cu(111) Surface Covered with Graphene or h-BN」 H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-14) 2018年 10月 キーワード:グラフェン、銅、表面、第一原理計算
91. 「First-principles Study of Pressure and Oxygen Concentration Dependence of Dynamical Properties in Silicon Oxide」 Y. Yajima, K. Shiraishi, T. Endoh, and H. Kageshima 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-14) 2018年 10月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理分子動力学法
92. 「First-Principles Study on Shape Degradation during Oxidation Process for Three-Dimensional Structure Devices」 Y. Yajima, K. Shiraishi, T. Endoh, and H. Kageshima 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) 2018年 9月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理分子動力学法
93. 「Si pillar酸化過程におけるSi基板中の酸素原子効果の理論的研究」 名倉拓哉、長川健太、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二 第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年 9月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理計算
94. 「Siピラー酸化におけるSiミッシングに関する理論検討」 影島博之、白石賢二、遠藤哲郎 第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年 9月 キーワード:シリコン、ナノ構造、酸化
95. 「酸素欠損のあるSiO2の動特性に関する圧力効果の検討」 矢島雄司、白石賢二、遠藤哲郎、影島博之 第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年 9月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理分子動力学法
96. 「遷移金属の吸着に伴う量子井戸バンドの変調を用いたPd(100)超薄膜の磁性制御」 櫻木俊輔、影島博之、佐藤徹哉 日本物理学会2018年秋季大会 2018年 9月 キーワード:パラジウム、ナノ薄膜、磁性、第一原理計算
97. 「First-principles studies on the effect of O atoms in the substrate on the oxidation of vertical body channel MOSFETs」 T. Nagura, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, and K. Shiraishi 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2018) 2018年 6月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理計算
98. 「BaTiO3を用いた歪み印加によるPd(100)薄膜の強磁性変調」 坂裕介、小松克伊、櫻木俊輔、谷山智康、影島博之、佐藤徹哉 日本物理学会第73回年次大会 2018年 3月
99. 「高温SiO2の動特性の酸素濃度依存性」 矢島雄司、白石賢二、遠藤哲郎、影島博之 応用物理学会春季学術講演会 2018年 3月
100. 「MoS2の原子空孔の安定性に対する積層効果の理論検討」 影島博之、浦崎柊 九大２D物質研究会 2018年 1月
101. 「Si放出モデルに基づくV-MOSFET製造の設計指針」 名倉拓哉、長川健太、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2018年 1月
102. 「シリコン酸化膜の動特性の酸素濃度依存性」 矢島雄司、白石賢二、遠藤哲郎、影島博之 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2018年 1月
103. 「Carbonization-driven motion of Si islands on epitaxial graphene」 H. Hibino, and H. Kageshima International Symposium on Epitaxial Graphene 2017年 11月
104. 「Development of wearable sensor applications using graphene/nanocarbon composites」 A. Nakamura, H. Sato, A. Kubono, H. Kageshima, H. Inokawa 生体医歯工学共同研究拠点国際シンポジウム 2017年 11月
105. 「LEEM/LEED analysis of exfoliated few-layer MoS2 on epitaxial graphene」 H. Hibino, S. Mizuno, K. Nishiguchi, and H. Kageshima International Symposium on Epitaxial Graphene 2017年 11月
106. 「Oxygen Concentration Dependence of Silicon Oxide Dynamical Properties」 Y. Yajima, K. Shiraishi, T. Endoh, and H. Kageshima International Workshop on Dielectric Thin Films 2017年 11月
107. 「Reconsideration of Si Pillar Thermal Oxidation Mechanism」 H. Kageshima, K. Shiraishi, and T. Endoh International Workshop on Dielectric Thin Films 2017年 11月
108. 「Theoretical study on graphene growth mechanism on SiC substrate」 H. Kageshima, and H. Hibino International Symposium on Epitaxial Graphene 2017年 11月
109. 「Theoretical study on interface orientation dependence of Si thermal oxidation」 T. Nagura, S. Kawachi, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, H, Kageshima, T. Endoh, and Kenji Shiraishi Fall Meeting of Materials Research Society 2017年 11月
110. 「Magneto-elastic effect on ferromagnetism induced by quantum-well states in Pd thin film」 Y. Ban, K. Komatsu, S. Sakuragi, T. Taniyama, H. Kageshima, and T. Sato International Conference on Magnetism and Magnetic Materials 2017年 10月
111. 「4H-SiC/SiO2 界面におけるウェット酸化反応過程に関する理論的検討」 堀真輔, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二 応用物理学会秋季学術講演会 2017年 9月
112. 「BaTiO3が誘導する歪みを利用した電界印加による Pd 薄膜の強磁性制御」 坂裕介、小松克伊、櫻木俊輔、谷山智康、影島博之、佐藤徹哉 日本物理学会2017年秋季大会 2017年 9月
113. 「First-Principles Study on interface orientation dependence of Si thermal oxidation」 T. Nagura, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, and K. Shiraishi International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017年 9月
114. 「Guiding principles of V-MOSFET fabrication based on Si emission model」 T. Nagura, S. Kawachi, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, and K. Shiraishi International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年 9月
115. 「Reaction mechanisms at 4H-SiC/SiO2 interface during wet SiC oxidation」 T. Akiyama, S. Hori, K. Nakamura, T. Ito, H. Kageshima, and K. Shiraishi International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年 9月
116. 「Si放出モデルに基づくSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究」 名倉拓哉，川内伸悟, 長川健太, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二 応用物理学会秋季学術講演会 2017年 9月
117. 「Tailoring the ferromagnetism of Pd(100) ultrathin films via quantum-well states」 S. Sakuragi, H. Tajiri, H. Kageshima, and T. Sato Junjiro Kanamori Memorial International Symposium 2017年 9月
118. 「Theoretical Study of Supporting Effect on Vacancies in MoS2」 H. Kageshima and S. Urasaki International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年 9月
119. 「Tip-enhanced Raman spectroscopy imaging of two-dimensional materials」 H. Hibino, K. Ogawa, T. Suzuki, H. Kageshima, S. Uemura, D. Dojima, T. Kaneko, and Y. Ozaki 6th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures 2017年 9月
120. 「高温SiO2とSiO2+SiOの自己拡散係数の揺らぎ」 矢島雄司、白石賢二、遠藤哲郎、影島博之 応用物理学会秋季学術講演会 2017年 9月
121. 「櫻木俊輔、影島博之、佐藤徹哉」 表面の格子歪みを用いた金属の量子井戸状態の変調による磁性スイッチング 日本物理学会2017年秋季大会 2017年 9月
122. 「First-principles Study on Chraged Vacancies of h-BN and MoS2」 S. Urasaki and H. Kageshima International Conference on Defects in Semiconductors 2017年 8月
123. 「Roles of Si-related Interstitials in Oxidation of Low-dimensional Si Nanostructures」 H. Kageshima, K. Shiraishi, and T. Endoh International Conference on Defects in Semiconductors 2017年 8月
124. 「Theoretical study on thermal oxidation processes of Si(111)/SiO2 interfaces」 T. Nagura, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, and K. Shiraishi International Conference on Defects in Semiconductors 2017年 8月
125. 「二次元物質の結晶成長と結晶性・原子構造に関する理論的研究」 影島博之, 日比野浩樹 2017年日本結晶成長学会特別講演会「ブレークスルーをもたらす結晶成長技術 ーナノスケール制御による新機能発現ー」 2017年 6月
126. 「MoS2/MoS2, MoS2/MoSe2における原子空孔の安定性と電子状態」 浦崎柊、影島博之 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年 3月
127. 「MoS2クラスター成長過程の第一原理計算による研究」 岡田克也、影島博之 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年 3月
128. 「SiO2の高温動特性に対するSiOの効果の検討」 矢島雄司、影島博之、白石賢二、遠藤哲郎 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年 3月
129. 「Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究」 名倉拓哉、川内伸悟、長川健太、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年 3月
130. 「縦型BC-MOSFETのSi熱酸化過程における圧縮歪みと面方位依存性に関する理論的研究」 川内伸悟、白川裕規、長川健太、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年 3月
131. 「MoS2の結晶成長極初期過程の理論検討」 岡田克也、影島博之 特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」（第22回） 2017年 1月
132. 「Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究」 名倉拓哉、川内伸悟、長川健太、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二 特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」（第22回） 2017年 1月
133. 「圧縮歪みを伴ったVertical-BC-MOSFETのSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究」 川内伸悟、名倉拓哉、長川健太、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二 特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」（第22回） 2017年 1月
134. 「単層MoS2における帯電した原子空孔の第一原理計算」 浦崎柊、影島博之 特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」（第22回） 2017年 1月
135. 「Face orientation dependency on thermal oxidation and hydrogen annealing at the Si/SiO2 Interface for the three-dimensional devices」 S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, and K. Shiraishi 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2016年 11月
136. 「二次元半導体h-BNとMoS2の原子空孔の安定性と電子状態」 浦崎柊, 影島博之 NIMSナノシミュレーションワークショップ2016 2016年 11月
137. 「First Principles Study on the Strain Dependence of Thermal Oxidation and Hydrogen Annealing Effect at Si/SiO2 Interface in V-Mosfet」 S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, and K. ShiraishiS. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, and K. Shiraishi Pacific RIM Meeting on Electrochemical Society and Solid-State Science 2016年 10月
138. 「Silicon emission mechanism for oxidation process of non-planar silicon」 H. Kageshima, K. Shiraishi, and T. Endoh Pacific RIM Meeting on Electrochemical Society and Solid-State Science 2016年 10月
139. 「First Principles Calculation of Charged Vacancies in Single-layer Molybdenum Disulfide」 Syu Urasaki and Hiroyuki Kageshima 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials 2016年 9月
140. 「SiC上グラフェン形成におけるステップの役割」 影島博之 静岡大学電子工学研究所生体医歯工学共同研究プロジェクト「IV族半導体表面界面制御に基づく高速分子センシング技術の研究」研究会 2016年 9月
141. 「V-MOSFETのSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性」 川内伸悟、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年 9月
142. 「遷移金属超薄膜中に量子井戸状態に起因して生じた自発歪みと強磁性II」 櫻木俊輔、影島博之、田尻寛男、糸谷良、佐藤徹哉 日本物理学会2016年秋季大会 2016年 9月
143. 「First-principles Study of Initial Stage of MoS2 Crystal Growth」 K. Okada and H. Kageshima The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2016年 8月
144. 「Siピラーの酸化におけるミッシングSiとSi放出モデルの拡張」 影島博之、白石賢二、遠藤哲郎 第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年 3月 キーワード:シリコン、酸化
145. 「V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察」 川内伸悟、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、白石賢二、遠藤哲郎 第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年 3月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理計算
146. 「ショットキー障壁を用いたPd(100)超薄膜の量子井戸変調」 糸谷良，櫻木俊輔，浦崎柊，岡田克也，影島博之，佐藤徹哉 日本物理学会2015年春季第71回年次大会 2016年 3月 キーワード:パラジウム、磁性、ナノ薄膜
147. 「シリコン放出モデルとシリコンピラー酸化」 影島博之 研究会NWDTF 2016年 3月
148. 「遷移金属超薄膜中に量子井戸状態に起因して生じた自発歪みと強磁性」 櫻木俊輔，田尻寛男，佐藤龍，青木舜平，糸谷良，浦崎柊，岡田克也，影島博之，佐藤徹哉 日本物理学会2015年春季第71回年次大会 2016年 3月 キーワード:パラジウム、磁性、ナノ薄膜
149. 「第一原理計算を用いたMoS2の結晶成長理論検討」 岡田克也、影島博之 第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年 3月 キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、結晶成長、第一原理計算
150. 「単層MoS2における多原子空孔の研究」 浦崎柊、影島博之 第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年 3月 キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、結晶欠陥、第一原理計算
151. 「Si/SiO2界面における水素アニール効果に関する理論的研究」 川内伸悟、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二 特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」（第21回） 2016年 1月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理計算
152. 「シリコンピラー酸化の理論的考察」 影島博之, 白石賢二, 遠藤哲郎 平成27年度静岡大学電子工学研究所共同研究プロジェクト「シリコンナノデバイスにおける複合欠陥の物理と応用」研究会 2016年 1月
153. 「第一原理計算によるMoS2の結晶成長初期過程の理論検討」 岡田克也、影島博之 特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」（第21回） 2016年 1月 キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、結晶成長、第一原理計算
154. 「単層 h-BN における多原子空孔の理論的検討」 浦崎柊、影島博之 特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」（第21回） 2016年 1月 キーワード:BN、結晶欠陥、第一原理計算
155. 「二次元半導体の欠陥と成長の理論検討」 影島博之, 浦崎柊, 岡田克也 第6回九州大学グラフェン研究会 2016年 1月 キーワード:二次元半導体
156. 「Extension of Si Emission Model for Silicon Nanowire Oxidation」 Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi, and Tetsuo Endoh The 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (2015IWDTF) 2015年 11月
157. 「Origin of Epitaxial Relation of Graphene formed on SiC」 Hiroyuki Kageshima and Hiroki Hibino 10th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '15 (ALC'15) 2015年 10月
158. 「First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2 Interface by Thermal Oxidation」 Shingo Kawachi, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai, Hiroyuki Kageshima, Tetsuo Endoh, and Kenji Shiraishi 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) 2015年 9月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理計算
159. 「MoS2の結晶成長極初期過程の理論検討」 岡田克也、影島博之 2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年 9月 キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、結晶成長、第一原理計算
160. 「Theoretical Study of Multiatomic Vacancies in Hexagonal Boron Nitride」 Syu Urasaki, and Hiroyuki Kageshima 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015) 2015年 9月 キーワード:BN、結晶欠陥、第一原理計算
161. 「単層h-BNにおける多原子空孔の研究」 浦崎柊、影島博之 2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年 9月 キーワード:BN、結晶欠陥、第一原理計算
162. 「シリコン熱酸化における水素アニールの効果の理論的研究」 川内伸悟、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二 電子情報通信学会平成２７年６月度研究会シリコン材料デバイス研究会 2015年 6月 キーワード:シリコン、酸化、第一原理計算
163. 「4H-SiC/SiO2界面における酸化反応過程に関する理論的検討」 秋山亨、伊藤綾子、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司、白石賢二 第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年 3月
164. 「SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理解」 影島博之、日比野浩樹 日本物理学会2015年春季第70回年次大会 2015年 3月
165. 「SiC表面における酸化初期での反応過程に関する理論的検討」 伊藤綾子、秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司、白石賢二 第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年 3月
166. 「グラフェンの熱電変換特性と電気磁気特性」 影島博之 平成26年度静岡大学電子工学研究所共同研究プロジェクト「アルコールCVDグラフェン材料のイメージングデバイス応用」研究会 2015年 3月
167. 「SiC上エピタキシャルグラフェン形成機構と制御指針」 影島博之 第5回九州大学グラフェン研究会 2015年 2月
168. 「計算物理に基づく電子材料設計ーシリコンとグラフェンの制御ー」 影島博之 企業研究会第２８期CAMMフォーラム本例会 2015年 2月
169. 「SiC(0001) Si面熱分解グラフェン形成の制御指針」 影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫 特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」 2015年 1月
170. 「First-principles Study of Graphene on SiC(000-1) C face」 Hiroyuki Kageshima and Hiroki Hibino The 7th International Symposium on Surface Science 2014年 11月
171. 「LEED structural analysis of monolayer h-BN grown by CVD」 Hiroki Hibino, Carlo M. Orofeo, Hiroyuki Kageshima, Satoru Suzuki, and Seigi Mizuno The 7th International Symposium on Surface Science 2014年 11月
172. 「Precise analysis of the buffer layer at the graphene/SiC interface by surface-enhanced Raman scattering spectroscopy using gold nanoparticles」 Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Atsushi Iwamoto, Masao Nagase, Hiroyuki Kageshima, and Tatsuya Akazaki The 7th International Symposium on Surface Science 2014年 11月
173. 「SiC(11-20)a面上のエピタキシャルグラフェンの第一原理計算」 影島博之、日比野浩樹 第34回表面科学学術講演会 2014年 11月
174. 「Theoretical Investigations for Initial Oxidation Processes on SiC Surfaces」 Ayako Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu The 7th International Symposium on Surface Science 2014年 11月
175. 「計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展」 影島博之 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」 2014年 11月
176. 「半導体界面欠陥の理論的考察」 影島博之 平成26年度静岡大学電子工学研究所共同研究プロジェクト「シリコンナノデバイスにおける複合欠陥の物理と応用」研究会 2014年 10月
177. 「SiC(0001)Si面上第一層目グラフェン成長における[1-100]ステップの役割」 影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年 9月
178. 「SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの電子状態」 影島博之、日比野浩樹 日本物理学会2014年秋季大会 2014年 9月
179. 「SiC表面における酸化初期過程に関する理論的研究」 伊藤綾子、秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、白石賢二、影島博之、植松真司 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年 9月
180. 「金ナノ粒子表面増強ラマン散乱分光を用いたgraphene/SiC界面のバッファー層の精密分析」 関根佳明、日比野浩樹、小栗克弥、岩本篤、永瀬雅夫、影島博之、赤崎達志 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年 9月
181. 「二次元原子結晶半導体の物性」 影島博之 NIMSナノシミュレーションワークショップ2014 2014年 9月
182. 「剥離MoS2薄膜のLEEM/LEED解析」 日比野浩樹、西口克彦、水野清義、影島博之 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年 9月
183. 「Theoretical studies of graphene on SiC」 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi, and Masao Nagase The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014 2014年 7月
184. 「Initial reaction processes on SiC surface during thermal oxidation: A first-principles study」 Ayako Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Hiroyuki Kageshima, and Masashi Uematsu 56th Electronic Materials Conference 2014年 6月 キーワード:SiC
185. 「半導体デバイス材料表面界面の物性とプロセスの研究」 影島博之 物質材料研究機構講演会「表面・界面の第一原理理論の進歩」 2014年 4月
186. 「CVD 法で成長させた単層 h-BN の LEED による構造解析」 日比野浩樹、Carlo M. Orofeo、影島博之、鈴木哲、水野清義 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年 3月
187. 「SiC(0001) Si面上エピタキシャルグラフェン成長における[1-100]ステップの役割」 影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年 3月
188. 「SiC上グラフェンナノリボンの偏光ラマン散乱分光」 関根佳明、日比野浩樹、小栗克也、影島博之、佐々木健一、赤崎達志 、村田祐也 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年 3月
189. 「SiC(0001) Si面上でのエピタキシャルグラフェン成長初期過程における[11-20]ステップの役割」 影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」 2014年 1月
190. 「Stability and reactivity of [11-20] step in initial stage of epitaxial graphene growth on SiC(0001)」 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi, and Masao Nagase The International Conference on Silicon-Carbide Related Materials 2013年 10月
191. 「Effect of hydrogen annealing on electronic transport properties of quasi-free-standing monolayer graphene」 Shinichi Tanabe, Makoto Takmura, Yuichi Harada, Hiroyuki Kageshima, and Hiroki Hibino 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials 2013年 9月
192. 「Electronic properties of epitaxial graphene on SiC(11-20)a substrate」 Hiroyuki Kageshima and Hiroki Hibino 5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research 2013年 9月
193. 「Polarized Raman spectroscopy of graphene nanoribbons embedded in SiC」 Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima, Kenichi Sasaki and Tatsushi Akazaki 5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research 2013年 9月
194. 「SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源」 影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫 日本物理学会2013年秋季大会 2013年 9月
195. 「SiC(0001)面上第1層グラフェン成長初期過程とステップの役割」 影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫 2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会 2013年 9月
196. 「Structural control of C clusters by a step on SiC(0001)」 Masato Inoue, Yoshihiro Kangawa, Hiroyuki Kageshima and Kohji Kakimoto 2013 JSAP-MRS Joint Symposia 2013年 9月
197. 「Structural controllability of C clusters by templates effect of SiC step」 Masato Inoue, Yoshihiro Kangawa, Hiroyuki Kageshima, and Kohji Kakimoto 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2013年 8月
198. 「Growth and Low-energy Electron Microscopy Characterization of Monolayer Hexagonal Boron Nitride on Epitaxial Cobalt」 Carlo M. Orofeo, Satoru Suzuki, Hiroyuki Kageshima and Hiroki Hibino The 7th International Conference on the Fundamental Science of Graphene and Applications of Graphene-Based Devices 2013年 6月

委員会・学会役員等

1. 応用物理学会薄膜・表面物理分科会／シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−」 実行プログラム委員 2007年～ 2015年
2. 2013 International Workshop on Dielectric Thin films for Future ULSI Devices — Science and Technology — (IWDTF2013) program committee chair 2011年～ 2014年
3. 応用物理学会薄膜・表面物理分科会 幹事 2012年～ 2016年
4. 応用物理学会薄膜・表面物理分科会 常任幹事（企画担当） 2012年～ 2024年
5. 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 材料表面界面専門委員会委員 2013年～ 2025年
6. 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 材料表面界面専門委員会委員 2013年～ 2016年
7. 高効率電子デバイス材料研究コンソーシアム(MARCEED) メンバー 2013年～ 2018年
8. 文部科学省HPCI戦略プログラム（分野4：次世代ものづくり分野）」の研究課題「次世代半導体集積素子におけるカーボン系ナノ構造プロセスシミュレーションに関する研究開発」 高効率電子デバイス材料研究コンソーシアム(MARCEED)メンバー 2013年～ 2015年
9. 日本真空学会関西支部 幹事（研究会小委員会担当） 2015年～ 2018年
10. 応用物理学会中国・四国支部 幹事 2018年～ 2023年
11. 東京大学物性研究所スーパーコンピュータ共同利用委員会 共同利用スーパーコンピュータ課題審査委員 2019年～ 2025年
12. 科学研究費補助金審査委員会 審査委員 2020年～ 2021年
13. PHASE開発委員会 委員 2021年～ 2025年

学術雑誌の編集

1. Applied Physics Express 委員 publisher:応用物理学会
2. Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
3. Applied Physics Express 委員 publisher:応用物理学会
4. Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
5. Applied Physics Express 委員 publisher:応用物理学会
6. Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
7. Applied Physics Express 委員 publisher:応用物理学会
8. Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
9. Appl. Phys. Express 委員 publisher:応用物理学会
10. Jpn. J. Appl. Phys. 委員 publisher:応用物理学会
11. Applied Physics Express 委員 publisher:応用物理学会
12. Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
13. Applied Physics Express/Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
14. SSDM Special Issue, Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
15. Applied Physics Express/Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
16. SSDM Special Issue, Japanese Journal of Applied Physics 委員長 publisher:応用物理学会
17. Applied Physics Express/Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
18. SSDM2016 Special Issue of JJAP 副編集長
19. Applied Physics Express/Japanese Journal of Applied Physics 委員 publisher:応用物理学会
20. IWDTF Special Issue, Japanese Journal of Applied Science 委員 publisher:応用物理学会

学術雑誌の査読

1. Applied Physics Express publisher:応用物理学会
2. Japanese Journal of Applied Physics publisher:応用物理学会
3. Journal of Applied Physics publisher:American Institute of Physics
4. Physical Review B publisher:American Physics Society
5. Physical Review Materials publisher:American Physics Society
6. Scientific Report publisher:Nature
7. Surface Science publisher:Elsevier
8. ECS Journal of Solid State Science and Technology publisher:Electrochemistry Society
9. Japanese Journal of Applied Physics publisher:応用物理学会
10. Journal of Applied Physics publisher:American Institute of Physics
11. Material Science in Semiconductor Processing publisher:Elsevier
12. Physical Review B publisher:American Physics Society
13. Physical Review Materials publisher:American Physics Society
14. Surface Science publisher:Elsevier
15. Japanese Journal of Applied Physics publisher:応用物理学会
16. Journal of Materials Chemistry C
17. Physica Status Solidi A publisher:Wiley
18. Physical Review B publisher:APS
19. Physical Review Letters publisher:APS
20. Physical Review Materials publisher:APS
21. Applied Physics Letters publisher:AIP
22. Japanese Journal of Applied Physics publisher:応用物理学会
23. Journal of Applied Physics publisher:AIP
24. Physical Review B publisher:APS
25. e-Journal of Surface Science and NanoTechnology publisher:表面科学会
26. IEEE Nano publisher:日本物理学会
27. Japanese Journal of Applied Physics publisher:応用物理学会
28. Journal of Applied Physics
29. Journal of Physical Chemistry
30. Nanomaterials
31. Nanoscale
32. Physica Status Solidi
33. Physical Review B publisher:APS
34. AIP Advance publisher:AIP
35. Applied Physics Express publisher:応用物理学会
36. Applied Physics Letters publisher:AIP
37. Carbon publisher:Elsevier
38. IEEE HISS publisher:IEEE
39. Japanese Journal of Applied Physics publisher:応用物理学会
40. Journal of Physical Society Japan publisher:日本物理学会
41. Physical Review B publisher:APS
42. Surface Science publisher:Elsevier
43. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology publisher:日本表面科学会
44. Applied Physics Express
45. Journal of Crystal Growth
46. Physical Review B publisher:APS
47. Physical Review Letters
48. e-Journal of Surface Science and NanoTechnology
49. physica status solidi

学会・シンポジウム等の主催

1. 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-X) その他 2024年 半導体、界面
2. 15th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC '24) その他 2024年 固体表面、界面、分析
3. 16th International Conference on Atomic Control of Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN-16) その他 2025年 表面、界面、ナノ構造
4. 2025 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices Science and Technology (IWDTF2025) その他 2025年 半導体、絶縁膜、誘電膜
5. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第30回) その他 2025年 半導体、絶縁膜、誘電膜
6. 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices Science and Technology (IWDTF2021) その他 2023年
7. International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 役員 2024年
8. 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会 役員 2023年
9. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― その他 2023年
10. 2022 International Symposium on Semiconductor Interface and Control (ISCSI-IX) 座長・司会,その他 2022年
11. 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices Science and Technology (IWDTF2021) その他 2023年
12. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― その他 2023年
13. 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) その他 2021年 固体デバイス
14. 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices Science and Technology (IWDTF2021) その他 2021年 誘電体薄膜、半導体デバイス
15. 2022 International Symposium on Semiconductor Interface and Control (ISCSI-IX) その他 2022年
16. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― その他 2022年 半導体デバイス界面技術
17. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) その他 2020年 固体デバイス
18. 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) その他 2021年 固体デバイス
19. 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices Science and Technology (IWDTF2021) その他 2021年 誘電体薄膜、半導体デバイス
20. 第68回応用物理学会春季学術講演会 その他 2021年
21. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― その他 2021年 半導体デバイス界面技術
22. 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) その他 2019年 固体デバイス
23. 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices Science and Technology (IWDTF2019) 役員,座長・司会,その他 2019年 誘電体薄膜、半導体デバイス
24. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) その他 2020年 固体デバイス
25. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― その他 2020年 半導体デバイス界面技術、
26. International Conference of Semiconductor Devices and Materials (SSDM) 役員 2019年
27. International Conference of Semiconductor Devices and Materials (SSDM) 座長・司会 2018年
28. International Conference of Semiconductor Devices and Materials (SSDM) 役員 2018年
29. International Workshop on Dielectric Thin Films 実行委員長等 2019年
30. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 役員 2019年
31. International Conference of Semiconductor Devices and Materials (SSDM) 役員 2018年 半導体、デバイス、材料
32. International Conference on Defects of Semiconductors (ICDS) 役員 2017年
33. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 役員 2018年 半導体電子部品、界面、物理
34. International Conference of Semiconductor Devices and Materials (SSDM) 役員 2016年
35. International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE) 座長・司会 2017年 結晶成長
36. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 役員 2017年 半導体電子部品、界面、物理
37. International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF) 役員 2015年 誘電体薄膜、半導体部品、物理
38. 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会 ｺｰﾃﾞｨﾈｰﾀ 2015年 半導体電子部品材料、物理
39. 第63回応用物理学会春季学術講演会 座長・司会 2016年 グラフェン、デバイス応用
40. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　―材料・プロセス・デバイス特性の物理― 役員 2016年 半導体電子部品、界面、物理
41. 日本真空学会関西支部講演会 ｺｰﾃﾞｨﾈｰﾀ 2016年 真空技術、物理
42. 2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 その他 2014年 応用物理・物理一般
43. 特別研究会「ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−」(第20回) その他 2015年 ゲートスタック
44. 日本物理学会2015年春季第70回年次大会 座長・司会 2015年 物理全般

学術賞受賞

1. 応用物理学会フェロー 影島博之 計算科学による半導体デバイス材料の設計指針の研究 応用物理学会 2020年 計算科学、半導体デバイス材料、設計指針
2. 応用物理学会2016年度APEX/JJAP編集貢献賞 影島博之 APEX/JJAP編集活動に関する貢献 応用物理学会 2017年 応用物理学
3. 日本結晶成長学会第33回論文賞 日比野浩樹、影島博之 結晶成長学に関する顕著な功績と認められる論文の執筆者 日本結晶成長学会 2016年 グラフェン、LEEM、層状物質

 

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