研究者情報

影島　博之（カゲシマ　ヒロユキ）　KAGESHIMA Hiroyuki

学部等／職名

　教授

学科・講座等

物理工学科　

専門分野

専門分野キーワード

半導体物性理論、表面・界面、結晶成長、格子欠陥・ナノ構造

研究テーマ

混晶窒化物半導体の電子状態に関する研究
混晶窒化物半導体InGaNの光デバイス応用では、価電子帯バンド端の電子状態の詳細制御が問題となっている。強束縛近似を用いることで、価電子帯バンド端の電子状態を検討し、その局在・非局在性を理論的に明らかにすることを目的とする。
() 2016年 ～

SiC酸化機構の研究
省電力化を目指したパワーデバイス材料として有望なSiCをデバイス応用する際に鍵となる、酸化膜の形成機構を理論的に研究し、その制御指針の解明を目指す
() 2014年 ～

グラフェン・二次元層状物質の成長と物性に関する理論研究
近年注目されているグラフェン・二次元層状物質を電気通信部品材料として用いるのに必要とされるそれらの結晶成長と物性に関する基礎的な知見を、計算物理を主たる手法とした理論研究によって獲得し、制御指針を明らかにすることで電気通信の発展に寄与する。
() 2016年 ～

量子井戸構造に基づく2次元金属薄膜への磁気機能の誘導とその応用展開
厚さ方向を原子スケールにして量子井戸構造とすることにより、２次元金属薄膜へ磁気機能を誘導しその応用展開を目指す
() 2015年 ～

Si MOS界面の研究
高品質なSi MOS界面の実現を目指した、Siの酸化過程の微視的機構と界面欠陥に関する、第一原理計算に基づいた研究
() 2014年 ～

ホームページＵＲＬ

https://www.ipc.shimane-u.ac.jp/kageshima/saito/Kageshima_laboratory.html

取得学位

理学博士